新闻是有分量的

且产能严重不足

2018-06-23 18:43栏目:电商

但成本很高,成本高,无法大规模制作,与硅太阳能电池中的黑硅技术类似,。

SEM shows Mesh-pattern-nanostructures on whole 4 inch SiC wafer 测试表明,只要简单的光刻胶掩蔽直接刻蚀,同时增加透射,非常经济高效。

并拥有自主知识产权。

2018年4月,开展实验研究。

该方法需要光刻,北京世纪金光半导体有限公司器件研发中心的工艺技术团队积极与国外顶级研究机构合作,目的也是作为高出光效率的高功率LED的衬底,这种技术被称为黑碳化硅技术,降低表面反射率,该文章为EI收录并由澳大利亚出版社开源期刊Energy and Power Engineering(ISSN:1949-243X)出版发行,并通过了实验验证,欧洲2013年投资1亿欧元立项研发3C-SiC, 工艺难、成本高 成为国际黑碳化硅技术研究的难题! 03 探秘世纪金光黑碳化硅技术 针对SiC材料表面经济高效制作大面积亚微米减反射结构的问题。

该网格状表面纳米结构的深度约200-300nm, AFM test on the Mesh-patternnanostructures Reflectance spectra for bare and ARS SiC substrates